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Analysis and simulation of bulk polarization mechanism in p-GaN HEMT with AI component gradient buffer layer 相关领域
高电子迁移率晶体管
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Shijin Liu; Ying Wang; Xin-Xing Fei; Cheng‐Hao Yu; Haomin Guo 出版日期:2024-06-07 |
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