| 标题 |
 Band Alignment, Thermal Transport Property, and Electrical Performance of High-Quality β-Ga2O3/AlN Schottky Barrier Diode Grown via MOCVD 相关领域
材料科学
金属有机气相外延
光电子学
肖特基二极管
二极管
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质量（理念）
热的
纳米技术
外延
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物理
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图层（电子）
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：An-Feng Wang; Hong-Ping Ma; Qingxia Huang; Lin Gu; Yi Shen; et al 出版日期：2025-04-28 |
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