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 Effects of growth temperature on structural and electrical properties of in-rich InAlN–GaN heterostructures by radio-frequency metal–organic molecular beam epitaxy 生长温度对射频金属有机分子束外延富In InAlN-GaN异质结构结构和电学性能的影响
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期刊：Surface Topography Metrology and Properties 作者：Wei‐Chun Chen; Kun‐An Chiu; Hung-Pin Chen; Yu‐Wei Lin; Che-Chin Chen; et al 出版日期：2023-04-19 |
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相与千日
在
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