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 Etching mechanisms of Si and SiO2in fluorocarbon ICP plasmas: analysis of the plasma by mass spectrometry, Langmuir probe and optical emission spectroscopy 氟碳等离子体中Si和SiO2的腐蚀机制：通过MS、Langmuir探针和光发射光谱分析等离子体
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期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：Freddy Gaboriau; Gilles Cartry; M. C. Peignon; Christophe Cardinaud 出版日期：2006-04-20 |
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