| 标题 |
 The Interaction Challenges with Novel Materials in Developing High‐Performance and Low‐Leakage High‐ k /Metal Gate CMOS Transistors 开发高性能和低泄漏高k/金属栅CMOS晶体管与新材料的相互作用挑战
相关领域
CMOS芯片
泄漏（经济）
金属浇口
材料科学
阈值电压
晶体管
光电子学
缩放比例
工作职能
可靠性（半导体）
栅极电压
电压
电子工程
金属
电气工程
栅氧化层
工程类
物理
冶金
数学
功率（物理）
经济
宏观经济学
量子力学
几何学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：M. Chudzik; Siddarth Krishnan; U. Kwon; Mukesh Khare; V. Narayanan; et al 出版日期：2012-08-22 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
嘻嘻哈哈
GingerF
GG
时尚梦易
Nole
fantasy
蕃茄鱼
Kao
OK
千山keyantong
14and15
不潮薯饼
Samuel
yjh123
无名氏
Haiverxin
kento
youth
小何
Zzzz
皖公网安备34019202002308
