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 Local Interface RF Passivation Layer Based on Helium Ion-Implantation in High-Resistivity Silicon Substrates 基于氦离子注入的高电阻率硅衬底局部界面射频钝化层
相关领域
钝化
硅
氦
材料科学
光电子学
图层（电子）
离子注入
电阻率和电导率
接口（物质）
无线电频率
离子
电气工程
复合材料
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物理
有机化学
毛细管数
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期刊：2022 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2022 作者：M. Perrosé; Pablo Acosta-Alba; S. Reboh; J. Lugo-Alvarez; Christophe Plantier; et al 出版日期：2024-06-16 |
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