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Oxide Semiconductor Memristor‐Based Optoelectronic Synaptic Devices With Quaternary Memory Storage
基于氧化物半导体忆阻器的四元存储光电突触器件
相关领域
记忆电阻器 材料科学 光电子学 电阻随机存取存储器 半导体 纳米技术 非易失性存储器 氧化物 长时程增强 记忆晶体管 计算机数据存储 计算机科学 电气工程 计算机硬件 化学 电压 冶金 受体 工程类 生物化学
网址
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdfdirect/10.1002/aelm.2...
DOI
10.1002/aelm.202300863 doi
其它 期刊：Advanced electronic materials
作者：Jeong‐Hyeon Kim; Hye Jin Lee; Hee‐Jin Kim; Jongyun Choi; Jae‐Hyeok Oh; et al
出版日期：2024-03-11
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科研小废物 在 2025-11-10 16:21:50 发布自江苏，悬赏 10 积分
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