Two-dimensional analytical model of dual material gate strained Si SOI MOSFET with asymmetric Halo

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标题	Two-dimensional analytical model of dual material gate strained Si SOI MOSFET with asymmetric Halo 相关领域绝缘体上的硅 MOSFET 材料科学光环阈值电压泊松方程光电子学金属浇口电场排水诱导屏障降低电压凝聚态物理栅氧化层晶体管硅电气工程物理工程类银河系量子力学
网址	https://doi.org/10.7498/aps.62.158502
DOI	10.7498/aps.62.158502 doi
其它	期刊：Acta Physica Sinica 作者：Yanhui Xin; Hongxia Liu; Fan Xiao-Jiao; Qingqing Zhuo 出版日期：2013-01-01
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