Effect of initial condition on the quality of GaN film and AlGaN/GaN heterojunction grown on flat sapphire substrate with ex-situ sputtered AlN by MOCVD

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标题	Effect of initial condition on the quality of GaN film and AlGaN/GaN heterojunction grown on flat sapphire substrate with ex-situ sputtered AlN by MOCVD 初始条件对非原位溅射AlN在平坦蓝宝石衬底上生长GaN薄膜和AlGaN/GaN异质结质量的影响相关领域材料科学异质结蓝宝石金属有机气相外延光电子学图层（电子）基质（水族馆）位错氮化物外延光学复合材料激光器海洋学物理地质学
网址	https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2022.111063
DOI	10.1016/j.vacuum.2022.111063 doi
其它	期刊：Vacuum 作者：Zhaole Su; Rui Kong; Xiaotao Hu; Yimeng Song; Zhen Deng; et al 出版日期：2022-04-01
求助人	三颗石头在 2024-05-15 15:17:09 发布自湖北，悬赏 10 积分
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