| 标题 |
  Mobility–stability trade-off in oxide thin-film transistors 氧化物薄膜晶体管的迁移率-稳定性折衷
相关领域
薄膜晶体管
材料科学
光电子学
晶体管
电子迁移率
阈值电压
氧化物薄膜晶体管
纳米技术
图层（电子）
电气工程
电压
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Nature electronics 作者：Yu‐Shien Shiah; Kihyung Sim; Yuhao Shi; Katsumi Abe; Shigenori Ueda; et al 出版日期：2021-11-22 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
eric888
不配.
zcl
聪慧的正豪
star
LaTeXer
哆啦的空间站
子车茗
Zx_1993
尉迟希望
iNk
昏睡的蟠桃
yangjiafengzi
8R60d8
xzy998
无极微光
tuanheqi
changping
蜀安
Bio
yaoli0823
唐泽雪穗
GingerF
小杭76
ephore
小青椒
Criminology34
皖公网安备34019202002308
