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  Unveiling the Hybrid‐Channel (poly‐Si/IGO) Structure for 3D NAND Flash Memory for Improving the Cell Current and GIDL‐Assisted Erase Operation 公开用于3D NAND闪存的混合沟道（多晶硅/IGO）结构，用于改善单元电流和GIDL辅助擦除操作
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期刊：Small Structures 作者：Su‐Hwan Choi; Jae‐Min Sim; Jeongmin Shin; Seong‐Hwan Ryu; Taewon Hwang; et al 出版日期：2024-12-25 |
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