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标题
Role of N2 during chemical dry etching of silicon oxide layers using NF3/N2/Ar remote plasmas
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DOI
10.1016/j.mee.2006.11.007 doi
其它 期刊:Microelectronic Engineering
作者:Duck-Jin Kim; Y. Yun; J. Y. Hwang; N. Lee; K. Kim; et al
出版日期:2007-04-01
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小怪 在 2026-08-14 11:36:14 发布自安徽,悬赏 10 积分
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