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 The Impact of Radiation-Induced FeGa– VN Defects on the Electrical Performance of AlGaN/GaN HEMTs 相关领域
材料科学
宽禁带半导体
光电子学
氮化镓
辐射
物理
光学
纳米技术
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：Hao Jiang; Xiaodong Xu; Xueqiang Yu; Xiangjie Cao; T. Ying; et al 出版日期：2025-02-01 |
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