High Power Density Millimeter-Wave Ultra-thin InGaN Channel DH-HEMTs

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标题	High Power Density Millimeter-Wave Ultra-thin InGaN Channel DH-HEMTs 相关领域材料科学光电子学频道（广播）功率（物理）氮化镓宽禁带半导体砷化镓电流密度电气工程功率密度锌化合物硅逻辑门电子工程晶体管功率半导体器件场效应晶体管电极发光二极管电容
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/55/4357973/11538219.pdf?...
DOI	10.1109/led.2026.3697835 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Hao Lu; Bin Hou; Ling Yang; Longge Deng; Meng Zhang; et al 出版日期：2026-05-29
求助人	可靠的谷雪在 2026-06-27 09:54:25 发布自陕西，悬赏 10 积分
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