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 Study of Gate Bias Voltage for Preventing Threshold Shift of SiC–MOSFET Body Diode during Transient Temperature Measurements 相关领域
MOSFET
阈值电压
材料科学
光电子学
二极管
瞬态（计算机编程）
电压
温度测量
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电气工程
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工程类
量子力学
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期刊：2019 International Conference on Electronics Packaging (ICEP) 作者：Fumiki Kato; Shinji Sato; Kenichi Koui; Hidekazu Tanisawa; Hiroshi Hozoji; et al 出版日期：2019-04-01 |
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