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Investigating the degradation behavior under hot carrier stress for InGaZnO TFTs with symmetric and asymmetric structures
相关领域
降级（电信） 压力（语言学） 材料科学 计算机科学 电信 语言学 哲学
网址
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2012.10.095
DOI
10.1016/j.tsf.2012.10.095 doi
其它 期刊：Thin Solid Films
作者：Ming-Yen Tsai; Ting‐Chang Chang; Ann‐Kuo Chu; Te-Chih Chen; Tien‐Yu Hsieh; et al
出版日期：2012-11-06
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我爱刘惜君 在 2026-01-13 15:03:22 发布自安徽，悬赏 10 积分
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