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Interface engineering of underlayer of chemically-amplified EUV photoresists to enhance the photolithographic performance 相关领域
极紫外光刻
材料科学
光刻
接口(物质)
抵抗
纳米技术
光电子学
复合材料
接触角
坐滴法
图层(电子)
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期刊:Materials Science And Engineering: B 作者:Tao Wang; Changchang Zhuang; Yang Guo; Hanshen Xin; Lin Jiang; et al 出版日期:2024-07-02 |
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