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[高分]
 Selective Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> Etching for 3D NAND Integration by Using Low Concentration of H<sub>3</sub>PO<sub>4</sub> 利用低浓度H3PO4选择性Si3N4蚀刻用于3D NAND集成
相关领域
蚀刻（微加工）
分析化学（期刊）
材料科学
氧化物
浅沟隔离
选择性
化学
动力学
沟槽
核化学
纳米技术
冶金
色谱法
图层（电子）
催化作用
有机化学
物理
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| 其它 |
期刊：Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena/Solid state phenomena 作者：Tae Gun Park; Jong Won Han; Sangwoo Lim 出版日期：2023-08-14 |
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