Power Module Design for GaN Transistors Enabling High Switching Speed in Multi‐Kilowatt Applications

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标题	Power Module Design for GaN Transistors Enabling High Switching Speed in Multi‐Kilowatt Applications 在多千瓦级应用中实现高开关速度的GaN晶体管功率模块设计相关领域碳化硅晶体管电源模块氮化镓电子工程材料科学功率（物理）电气工程计算机科学工程类纳米技术电压物理冶金图层（电子）量子力学
网址	https://doi.org/10.1002/ente.202300460
DOI	10.1002/ente.202300460 doi
其它	期刊：Energy Technology 作者：D. Wöhrle; Bruno Burger; O. Ambacher 出版日期：2023-06-28
求助人	强哥在 2025-12-04 10:56:33 发布自河北，悬赏 10 积分
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