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 Charge trapping layer enabled high-performance E-mode GaN HEMTs and monolithic integration GaN inverters 电荷俘获层支持的高性能E模式GaN HEMT和单片集成GaN逆变器
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Yang Jiang; Fangzhou Du; Kangyao Wen; Jiaqi He; Peiran Wang; et al 出版日期：2024-06-10 |
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