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标题
Total-ionizing-dose radiation response of 32 nm partially and 45 nm fully-depleted SOI devices
32 nm部分耗尽和45 nm完全耗尽SOI器件的总电离剂量辐射响应
相关领域
绝缘体上的硅 灵敏度（控制系统） 兴奋剂 光电子学 材料科学 电离辐射 分析化学（期刊） 物理 辐照 化学 电子工程 硅 核物理学 工程类 色谱法
网址
https://ieeexplore.ieee.org/document/6404374
DOI
10.1109/SOI.2012.6404374 doi
求助人
跳跃的访琴 在 2026-01-02 17:46:48 发布自江苏，悬赏 10 积分
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