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[高分]
![]() 65 nm CMOS低阈值MOSFET带隙基准
相关领域
带隙基准
MOSFET
CMOS芯片
阈值电压
光电子学
材料科学
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晶体管
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跌落电压
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期刊:Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 作者:Junan Zhang; Guangjun Li; Ruitao Zhang; Xi Li; Dongbing Fu; et al 出版日期:2017-12-01 |
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