A Bandgap Reference in 65 nm CMOS with Low Threshold Voltage MOSFET

带隙基准 MOSFET CMOS芯片 阈值电压 光电子学 材料科学 电压 电气工程 电压基准 晶体管 工程类 跌落电压
作者
Junan Zhang,Guangjun Li,Ruitao Zhang,Xi Li,Dongbing Fu,Bo Yan
出处
期刊:Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics [American Scientific Publishers]
卷期号:12 (12): 1384-1390 被引量:1
标识
DOI:10.1166/jno.2017.2137
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