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 Depletion-mode vertical Ga2O3trench MOSFETs fabricated using Ga2O3homoepitaxial films grown by halide vapor phase epitaxy 相关领域
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期刊：Applied Physics Express 作者：Kohei Sasaki; Quang Tu Thieu; Daiki Wakimoto; Yuki Koishikawa; Akito Kuramata; Shigenobu Yamakoshi 出版日期：2017-11-22 |
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