Interface and Electrical Properties of HfO₂-Based Gate Dielectrics on Si Substrate

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标题	Interface and Electrical Properties of HfO₂-Based Gate Dielectrics on Si Substrate 硅衬底上HfO₂基栅介质的界面和电学性能
网址	https://doi.org/10.1007/s11664-011-1731-4
DOI	10.1007/s11664-011-1731-4 doi
求助人	闪闪的硬币在 2025-08-24 15:03:46 发布自江苏，悬赏 10 积分
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