Investigation of Multi-Material Barrier GaN-based High Electron Mobility Transistors with Double-Deck Gate Field Plate

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标题	Investigation of Multi-Material Barrier GaN-based High Electron Mobility Transistors with Double-Deck Gate Field Plate
网址	https://doi.org/10.1134/S1063782625600731
DOI	10.1134/S1063782625600731 doi
其它	期刊：Semiconductors 作者：Pichingla Kharei; Achinta Baidya; Niladri Pratap Maity; Reshmi Maity 出版日期：2025
求助人	复杂的元珊在 2025-11-12 14:06:35 发布，悬赏 10 积分
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