| 标题 |
 Controlling the heat, flow, and oxygen transport by double-partitions during continuous Czochralski (CCz) silicon crystal growth 在连续直拉（CCz）硅晶体生长过程中通过双分区控制热、流动和氧传输
相关领域
坩埚（大地测量学）
微下拉
材料科学
硅
氧气
晶体生长
对流
传热
自由面
扩散
分拆（数论）
分析化学（期刊）
矿物学
热力学
冶金
结晶学
化学
色谱法
有机化学
计算化学
物理
组合数学
数学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Thi-Hoai-Thu Nguyen; Jyh-Chen Chen; Chun-Hsien Li 出版日期：2023-03-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
如意草丛
我是站长才怪
乐乐乐乐乐乐
yx_cheng
哈基米德
yydragen
竹筏过海
eric888
aldehyde
Kirito
Liufgui
亚特兰蒂斯
贰鸟
daisies
cy
CAOHOU
laber
mmyhn
江峰
比比谁的速度快
皖公网安备34019202002308
