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A study of Boron Concentration Uniformity in Selective Epitaxial Growth for SiGe HBT |
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期刊:2006 International SiGe Technology and Device Meeting 作者:S. Eguchi; I. Miyashita; Y. Kagotoshi; H. Toyoda; A. Kanai; N. Machida 出版日期:2008-07-18 |
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