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 Band Tail State Broadening in IGZO TFTs After pBTI-Induced Negative V T Shift Revealed via DC and 1/f Noise Measurements 相关领域
材料科学
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：R. Asanovski; P. Rinaudo; A. Chasin; Y. Zhao; H.F.W. Dekkers; et al 出版日期：2026-03-20 |
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