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4.1/3.5 kV breakdown voltage in depletion/enhancement-mode MOCVD-grown Ga 2 O 3 MOSFETs on sapphire substrates |
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:chunxiao Yu; Yibo Wang; Bochang Li; Chenyu Liu; Yiyang Wu; et al 出版日期:2026-03-13 |
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(2025-6-4)