Cryogenic Etching of SiO₂ in an ICP System Powered by 2 MHz Bias Using C₂F₆/C₄F₈/He Gas Mixtures: Enhanced Mask Preservation and Anisotropy for HARC Applications

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标题	Cryogenic Etching of SiO₂ in an ICP System Powered by 2 MHz Bias Using C₂F₆/C₄F₈/He Gas Mixtures: Enhanced Mask Preservation and Anisotropy for HARC Applications
网址	https://doi.org/10.1007/s11090-026-10657-5
DOI	10.1007/s11090-026-10657-5 doi
其它	期刊：Plasma Chemistry and Plasma Processing 作者：JIACHEN WEI; Chen Yang; Gilyoung Choi; Kwang‐Ho Kwon 出版日期：2026-04-27
求助人	www 在 2026-08-19 16:00:31 发布自福建，悬赏 10 积分
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