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 (Invited) Schematic Description of the Internal Stress Distribution Responsible for Defect Generation in Larger-Diameter PVT-Grown 4H-SiC Single Crystals 相关领域
材料科学
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压力（语言学）
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期刊：Meeting abstracts 作者：Tatsuo Fujimoto; Masashi Nakabayashi; Shohji Ushio; Komomo Tani; Masakazu Katsuno; et al 出版日期：2016-09-01 |
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