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 Vertical GaN p–n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown 具有深蚀刻台面和雪崩击穿能力的垂直GaN p-n二极管
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期刊：Applied Physics Express 作者：Hayata Fukushima; Shigeyoshi Usami; Masaya Ogura; Yuto Ando; Atsushi Tanaka; et al 出版日期：2019-01-11 |
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