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标题
Unclamped inductive stressing of GaN and SiC Cascode power devices to failure at elevated temperatures
GaN和SiC共源共栅功率器件在高温下失效的未箝位感应应力
相关领域
共栅 JFET公司 材料科学 高电子迁移率晶体管 光电子学 电压 击穿电压 MOSFET 电气工程 晶体管 场效应晶体管 工程类 CMOS芯片 放大器
网址
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114711
DOI
10.1016/j.microrel.2022.114711 doi
其它 期刊：Microelectronics Reliability
作者：Yasin Gunaydin; Saeed Jahdi; Xibo Yuan; Renze Yu; Chengjun Shen; et al
出版日期：2022-09-25
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爆米花 在 2025-12-05 09:41:54 发布自北京，悬赏 10 积分
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