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标题
Gate Breakdown Analysis of Schottky p-GaN gate HEMTs under High Positive Gate Bias
肖特基p-GaN栅极HEMT在高正栅极偏压下的栅极击穿分析
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿 材料科学 光电子学 栅氧化层 钝化 金属浇口 肖特基二极管 栅极电介质 肖特基势垒 和大门 逻辑门 电气工程 晶体管 电压 纳米技术 图层（电子） 工程类 二极管
网址
https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac8574
DOI
10.1149/2162-8777/ac8574 doi
其它 期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology
作者：Zhen-Wei Qin; Wei-Chia Chen; Hao-Hsuan Lo; Yue‐Ming Hsin
出版日期：2022-07-29
求助人
Grace 在 2025-12-04 17:30:18 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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