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 Gate Breakdown Analysis of Schottky p-GaN gate HEMTs under High Positive Gate Bias 肖特基p-GaN栅极HEMT在高正栅极偏压下的栅极击穿分析
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
材料科学
光电子学
栅氧化层
钝化
金属浇口
肖特基二极管
栅极电介质
肖特基势垒
和大门
逻辑门
电气工程
晶体管
电压
纳米技术
图层（电子）
工程类
二极管
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Zhen-Wei Qin; Wei-Chia Chen; Hao-Hsuan Lo; Yue‐Ming Hsin 出版日期：2022-07-29 |
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