A back-illuminated 6 μm SPAD depth sensor with PDE 36.5% at 940 nm via combination of dual diffraction structure and 2×2 on-chip lens

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标题	A back-illuminated 6 μm SPAD depth sensor with PDE 36.5% at 940 nm via combination of dual diffraction structure and 2×2 on-chip lens 采用双衍射结构和2 × 2片上透镜组合的背照式6 μ m SPAD深度传感器，在940 nm处PDE为36.5%
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10185199/10185158/101852...
DOI	10.23919/vlsitechnologyandcir57934.2023.10185251 doi
其它	期刊：2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Y. Fujisaki; H. Tsugawa; K. Sakai; H. Kumagai; R. Nakamura; et al 出版日期：2023-07-25
求助人	ShiShuai 在 2023-08-28 17:24:16 发布自湖北，悬赏 10 积分
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