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 A back-illuminated 6 μm SPAD depth sensor with PDE 36.5% at 940 nm via combination of dual diffraction structure and 2×2 on-chip lens 采用双衍射结构和2 × 2片上透镜组合的背照式6 μ m SPAD深度传感器，在940 nm处PDE为36.5%
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| 其它 |
期刊：2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Y. Fujisaki; H. Tsugawa; K. Sakai; H. Kumagai; R. Nakamura; et al 出版日期：2023-07-25 |
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