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 Largely enhanced bulk photovoltaic effects in a two-dimensional MoSi2N4 monolayer photodetector by vacancy-doping and bending-increased device asymmetry 空位掺杂和弯曲增加器件不对称性大大增强了二维MoSi2N4单层光电探测器的体光伏效应
相关领域
材料科学
单层
兴奋剂
光电探测器
空位缺陷
不对称
光伏系统
光电子学
弯曲
光电效应
带材弯曲
凝聚态物理
纳米技术
复合材料
电气工程
物理
工程类
量子力学
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期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Tingting Duan; Yongsheng Yao; Juexian Cao; Xiaolin Wei 出版日期：2025-01-01 |
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