| 标题 |
[高分]
 Comprehensive Study of Normally-off ScAlN Barrier GaN Transistors on Ultra-wide Bandgap β-Ga2O3: DC and RF Perspectives 相关领域
光电子学
材料科学
高电子迁移率晶体管
跨导
击穿电压
带隙
晶体管
电子迁移率
宽禁带半导体
感应高电子迁移率晶体管
无线电频率
氮化物
氮化镓
电压
异质结
散射
电子
钪
高压
电流密度
费米气体
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| DOI | |
| 其它 |
期刊：Semiconductors 作者：K. Dhana Sree Devi; P. Murugapandiyan; A. Lakshmi Narayana; C. Sivamani 出版日期：2026-01-01 |
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