Very Low Temperature Tensile and Selective Si:P Epitaxy for Advanced CMOS Devices

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标题	Very Low Temperature Tensile and Selective Si:P Epitaxy for Advanced CMOS Devices
网址	https://doi.org/10.1149/10904.0121ecst
DOI	10.1149/10904.0121ecst doi
其它	期刊：ECS Transactions 作者：Joël Kanyandekwe; Matthias Bauer; Tanguy Marion; Lazhar Saidi; Jean-Baptiste Pin; et al 出版日期：2022
求助人	阿nice 在 2026-04-15 13:57:47 发布自安徽，悬赏 10 积分
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