Accurate Analytical Physical Modeling of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors Accounting for Trapped and Free Charges

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标题	Accurate Analytical Physical Modeling of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors Accounting for Trapped and Free Charges
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/16/6965486/06922527.pdf?...
DOI	10.1109/ted.2014.2361062 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Matteo Ghittorelli; Fabrizio Torricelli; Luigi Colalongo; Zsolt Miklos Kovacs-Vajna 出版日期：2014-10-15
求助人	growl 在 2026-05-31 19:55:14 发布自湖南，悬赏 10 积分
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