High threshold voltage enhancement-mode GaN p-FET with Si-rich LPCVD SiNx gate insulator for high hole mobility

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标题	High threshold voltage enhancement-mode GaN p-FET with Si-rich LPCVD SiNx gate insulator for high hole mobility
网址	http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/44/8/082801
DOI	10.1088/1674-4926/44/8/082801 doi
求助人	zZ 在 2026-04-01 14:58:25 发布自江苏，悬赏 10 积分
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