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 SiC-based high electron mobility transistor 基于SiC的高电子迁移率晶体管
相关领域
高电子迁移率晶体管
跨导
材料科学
光电子学
感应高电子迁移率晶体管
电子迁移率
晶体管
制作
宽禁带半导体
基质（水族馆）
电极
霍尔效应
费米气体
电子
电气工程
电阻率和电导率
化学
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物理
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物理化学
病理
量子力学
地质学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Hiroyuki Sazawa; Akira Nakajima; Shigeyuki Kuboya; Hitoshi Umezawa; Tomohisa Kato; et al 出版日期：2024-03-18 |
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