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标题
Single Event Effect of E-Mode Ga2O3 Heterojunction Field Effect Transistor under Heavy Ion Irradiation
网址
DOI
10.1109/ISSET66828.2025.11185020 doi
其它 期刊:2025 4th International Symposium on Semiconductor and Electronic Technology (ISSET)
作者:Ruixia Miao; Xiang Ji; Jiaqi Wang; Yun Yan
出版日期:2025
求助人
阿西吧 在 2025-10-10 09:52:16 发布自湖南,悬赏 10 积分
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