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  Reduction of interface-state density in 4H–SiC n-type metal–oxide–semiconductor structures using high-temperature hydrogen annealing 高温氢退火降低4H-SiC n型金属氧化物半导体结构的界面态密度
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期刊：Applied Physics Letters 作者：K. Fukuda; S. Suzuki; T. Tanaka; K. Arai 出版日期：2002-07-26 |
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