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 Two-dimensional wide band-gap nitride semiconductor GaN and AlN materials: properties, fabrication and applications 二维宽带隙氮化物半导体GaN和AlN材料的性能、制备及应用
相关领域
材料科学
光电子学
氮化物
宽禁带半导体
制作
氮化镓
带隙
半导体
工程物理
纳米技术
医学
工程类
病理
替代医学
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Zhongxin Wang; Guodong Wang; Xintong Liu; Shouzhi Wang; Tailin Wang; et al 出版日期：2021-01-01 |
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