Two-dimensional wide band-gap nitride semiconductor GaN and AlN materials: properties, fabrication and applications

材料科学 光电子学 氮化物 宽禁带半导体 制作 氮化镓 带隙 半导体 工程物理 纳米技术 医学 工程类 病理 替代医学 图层(电子)
作者
Zhongxin Wang,Guodong Wang,Xintong Liu,Shouzhi Wang,Tailin Wang,Shiying Zhang,Jiaoxian Yu,Gang Zhao,Lei Zhang
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [Royal Society of Chemistry]
卷期号:9 (48): 17201-17232 被引量:107
标识
DOI:10.1039/d1tc04022g
摘要

This review systematically summarizes the latest research progress in 2D GaN and 2D AlN structures, their properties, fabrication methods and applications.
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