TCAD predictions of linear and saturation HCS degradation in STI-based LDMOS transistors stressed in the impact-ionization regime

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标题	TCAD predictions of linear and saturation HCS degradation in STI-based LDMOS transistors stressed in the impact-ionization regime
网址	https://ieeexplore.ieee.org/document/6694424/
DOI	10.1109/ispsd.2013.6694424 doi
其它	期刊：International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's 作者：S. Reggiani; G. Barone; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani; et al 出版日期：2013-05-26
求助人	hong 在 2026-08-05 14:17:25 发布自重庆，悬赏 10 积分
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