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Influence of the carrier mobility distribution on the Hall and the Nernst effect measurements in n-type InSb |
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:B. Madon; J.-E. Wegrowe; H.-J. Drouhin; X. Liu; J. Furdyna; G. A. Khodaparast 出版日期:2016-01-10 |
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