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标题
Effect of Source Electrostatic Interaction on the Off-State Leakage Current of p-GaN Gate HEMTs
源极静电相互作用对p-GaN栅HEMTs关态漏电流的影响
相关领域
光电子学 氮化镓 材料科学 宽禁带半导体 泄漏（经济） 电流（流体） 逻辑门 高电子迁移率晶体管 电气工程 晶体管 电压 工程类 纳米技术 图层（电子） 经济 宏观经济学
网址
https://doi.org/10.1109/led.2024.3447236
DOI
10.1109/led.2024.3447236 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Jiaojiao Song; Maojun Wang; Jin Wei; Zetao Fan; Jiaxin Zhang; et al
出版日期：2024-08-21
求助人
liuchuck 在 2025-07-07 19:37:08 发布自湖南，悬赏 10 积分
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