Physical simulation and modeling of low ohmic contact resistivity for gallium nitride high electron mobility transistor (GaN HEMT) device

欧姆接触 高电子迁移率晶体管 氮化镓 材料科学 晶体管 光电子学 宽禁带半导体 电阻率和电导率 接触电阻 氮化物 电子迁移率 电子 电气工程 物理 纳米技术 工程类 电压 图层(电子) 量子力学
作者
Tung Kok Siong,Mohamed Fauzi Packeer Mohamed,Mohd Syamsul,Alhan Farhanah Abd Rahim
出处
期刊:Nucleation and Atmospheric Aerosols [American Institute of Physics]
卷期号:2956: 050013-050013
标识
DOI:10.1063/5.0122499

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